Исследование высокоинтенсивной имплантации ионов титана в кремний в условиях энергетического воздействия пучка на поверхность
- Авторы: Иванова А.И.1, Вахрушев Д.О.1, Корнева О.С.1, Гурулев А.В.1, Варлачев В.А.1, Ефимов Д.Д.2, Чернышев А.А.3
 - 
							Учреждения: 
							
- Национальный исследовательский Томский политехнический университет
 - Балтийский федеральный университет имени Иммануила Канта
 - Национальный исследовательский Томский государственный университет
 
 - Выпуск: № 10 (2024)
 - Страницы: 74-79
 - Раздел: Статьи
 - URL: https://vietnamjournal.ru/1028-0960/article/view/664735
 - DOI: https://doi.org/10.31857/S1028096024100095
 - EDN: https://elibrary.ru/SHEYEO
 - ID: 664735
 
Цитировать
Полный текст
Аннотация
Методы модификации поверхностного и приповерхностных слоев материалов и покрытий ионными пучками находят применение во многих областях науки и техники. Развитие методов глубокого ионного легирования приповерхностных слоев полупроводниковых материалов, а также металлов и сплавов благодаря усилению радиационно-стимулированной диффузии в условиях, когда глубокие слои облучаемого образца не подвергаются значительному температурному воздействию, представляет значительный интерес для практической реализации технологий направленного улучшения эксплуатационных свойств деталей и изделий различного назначения. Настоящая работа посвящена исследованию особенностей и закономерностей высокоинтенсивной имплантации ионов титана при плотностях тока в несколько сотен мА/см2 с одновременным энергетическим воздействием на поверхность пучка ионов длительностью менее 1 мс с плотностью мощности, достигающей нескольких десятков кВт/см2. Впервые на примере имплантации титана в кремний показано, что сочетание высокоинтенсивной имплантации ионов и энергетического воздействия пучка ионов высокой плотности мощности обеспечивает возможность роста глубины ионного легирования от долей мкм до 6 мкм за счет увеличения времени облучения от 0.5 до 60 мин.
Полный текст
Об авторах
А. И. Иванова
Национальный исследовательский Томский политехнический университет
							Автор, ответственный за переписку.
							Email: bai@tpu.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							Томск						
Д. О. Вахрушев
Национальный исследовательский Томский политехнический университет
														Email: bai@tpu.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							Томск						
О. С. Корнева
Национальный исследовательский Томский политехнический университет
														Email: bai@tpu.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							Томск						
А. В. Гурулев
Национальный исследовательский Томский политехнический университет
														Email: bai@tpu.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							Томск						
В. А. Варлачев
Национальный исследовательский Томский политехнический университет
														Email: bai@tpu.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							Томск						
Д. Д. Ефимов
Балтийский федеральный университет имени Иммануила Канта
														Email: bai@tpu.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							Калининград						
А. А. Чернышев
Национальный исследовательский Томский государственный университет
														Email: bai@tpu.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							Томск						
Список литературы
- Диденко А.Н., Лигачев А.Е., Куракин И. Б. Воздействие пучков заряженных частиц на поверхность металлов и сплавов. Москва: Энергоатомиздат, 1987. 184 с.
 - Комаров Ф.Ф. Ионная имплантация в металлы. М.: Металлургия, 1990. 216 с.
 - Быковский Ю.А., Неволин В.Н., Фоминский В.Ю. Ионная и лазерная имплантация металлических материалов. М.: Энергоатомиздат, 1991. 240 с.
 - Челядинский А.Р., Комаров Ф.Ф. // УФН. 2003. Т. 173. № 8. С. 813. https://www.doi.org/10.1070/PU2003v046n08 ABEH001371.
 - Диденко А.Н., Шаркеев Ю.П., Козлов Э.В., Рябчиков А.И. Эффекты дальнодействия в ионно-имплантированных металлических материалах. Томск: Изд-во НТЛ, 2004. 328 с.
 - Борисов А.М., Крит Б.Л., Куликаускас В.С., Семенова Н.Л., Суминов И.В., Тихонов С.А. // Известия Томского политехнического университета. 2014. Т. 324. № 2. C. 137.
 - Ryssel H., Ruge I. Ion implantation. Chichester: Wiley, 1986. 478 p. https://www.doi.org/10.1002/sia.740100409
 - Williams J.S., Poate J.M., Ion Implantation and Beam Processing, 1st ed. Orlando: Academic, 1984. 432 p.
 - Komarov F.F. // Phys.-Uspekhi. 2003. V. 46. № 12. P. 1253. https://www.doi.org/10.1070/PU2003v046n12 ABEH001286
 - Mehrer H. Diffusion in solids: fundamentals, methods, materials, diffusion-controlled processes, 1st ed. Berlin: Springer Science & Business Media, 2007. 645 p.
 - Valiev S.H., Pugacheva T.S., Jurabekova F.G., Lem S.A., Miyagawa Y. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B. 1997. V. 127–128. P. 265. https://www.doi.org/10.1016/S0168-583X(96)00937-8
 - Ho P.S. // Surf. Sci. 1978. V. 72. № 2. P. 253. https://www.doi.org/10.1016/0039-6028(78)90294-7.
 - Miotello A., Mazzoldi P. // J. Appl. Phys. 1983. V. 54. P. 4235. https://www.doi.org/10.1063/1.332527
 - Eltoukhy A.H., Green J.E. // J. Appl. Phys. 1980. V. 51. № 8. P. 4444. https://www.doi.org/10.1063/1.328265
 - Sizmann R. // J. Nucl. Mater. 1978. V. 69–70. P. 386. https://www.doi.org/10.1016/0022-3115(78)90256-8
 - Patent 2787564 (US). Forming semiconductive devices by ionic bombardment. / Bell Telephone Laboratories Inc., New York. Shockley W. // 1957.
 - Poate J.M., Foti G., Jacobson D.C. Surface Modification and Alloying by Laser, Ion, and Electron Beams, 1st ed. Berlin: Springer, 2013. 414 p.
 - Ryabchikov A.I., Stepanov I.B., Dektjarev S.V., Sergeev O.V. // Rev. Sci. Instrum. 1998. V. 69. P. 810. https://www.doi.org/10.1063/1.1148585
 - Nikolaev A.G., Oks E.M., Savkin K.P., Yushkov G.Yu., Brown I.G. // Rev. Sci. Instrum. 2012. V. 83. № 2. P. 501. https://www.doi.org/10.1063/1.3655529
 - Anders A. Handbook of Plasma Immersion Ion Implantation and Deposition, 1st ed. N.Y.: John Wiley & Sons, 2000. 760 p.
 - Widner M., Alexeff I., Jones W.D., Lonngren K.E. // Phys. Fluids. 1970. V. 13. P. 2532. https://www.doi.org/10.1063/1.1692823
 - Anders A. // Surf. Coat. Technol. 1997. V. 93. № 2–3. P. 158. https://www.doi.org/10.1016/S0257-8972(97)00037-6
 - Wei R. // Surf. Coat. Technol. 1996. V. 83. P. 218. https://www.doi.org/10.1016/0257-8972(95)02828-5
 - Anishchik V.M., Uglov V.V. Modification of Instrumental Materials by Ion and Plasma Beams. Minsk: Belorus. Gos. Univ., 2003. 177 p. [in Russian].
 - Ryabchikov A.I. Ananin P.S., Dektyarev S.V., Sivin D.O., Shevelev A.E. // Vacuum. 2017. V. 143. P. 447. https://www.doi.org/10.1016/j.vacuum.2017.03.011
 - Ryabchikov A.I. // IEEE Trans. Plasma Sci. 2021. V. 49. № 9. P. 2529. https://www.doi.org/10.1109/TPS.2021.3073942.
 - SIMNRA Computer simulation of RBS, ERDA, NRA, MEIS and PIGE by Matej Mayer [Электронный ресурс]. https://mam.home.ipp.mpg.de/Download.html. Дата обращения: 14.11.2022.
 
Дополнительные файлы
				
			
						
						
						
					
						
									






