НАДЕЖНОСТЬ
| Edição | Título | Arquivo | |
| Volume 52, Nº 4 (2023) | Study of the Sensitive Region of a MOS Transistor to the Effects of Secondary Particles Arising from Ionizing Radiation |
 (Rus) |
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| Glushko A., Morozov S., Chistyakov M. | |||
| Volume 52, Nº 4 (2023) | Single Event Displacement Effects in a VLSI |
(Rus) |
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| Chumakov A. | |||
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