Plasma waves in a two-dimensional superlattice under the influence of a nonlinear electromagnetic wave

封面

如何引用文章

全文:

开放存取 开放存取
受限制的访问 ##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问 订阅存取

详细

An expression is obtained that allows us to determine the law of dispersion of plasma waves ω(𝑘) in a two-dimensional semiconductor superlattice under the influence of a nonlinear electromagnetic wave and, in the extreme case of weak nonlinearity, an analytical expression for ω(𝑘) is found. The possibility of controlling the frequency of the plasma wave by the parameters of a nonlinear wave has been established.

作者简介

I. Agapova

Volgograd State Socio-Pedagogical University

Волгоград, Россия

S. Glazov

Volgograd State Socio-Pedagogical University

Email: ser-glazov@yandex.ru
Волгоград, Россия

S. Kryuchkov

Volgograd State Socio-Pedagogical University; Volgograd State Technical University

Волгоград, Россия; Волгоград, Россия

参考

  1. Shmelev G.M., Chaikovskii I.A., Pavlovich V.V., Epshtein E.M. // Phys. Stat. Sol. 1977. V. 82. No. 391. P. 391.
  2. Das Sarma S., Quinn J.J. // Phys. Rev. B. 1982. V. 25. No. 12. P. 7603.
  3. Эпштейн Э.М. // ФТП. 1977. Т. 11. № 7. C. 456.
  4. Эпштейн Э.М. // ФТП. 1978. Т. 12. № 5. С. 985.
  5. Басс Ф.Г., Лыках В.А., Тетервов А.П. // ФТП. 1982. Т. 16. № 5. С. 865.
  6. Эпштейн Э.М. // ФТТ. 1977. Т. 11. № 11. C. 3456.
  7. Крючков С.В., Попов К.А. // ФТП. 1998. Т. 32. № 3. C. 334
  8. Kryuchkov S.V., Popov K.A. // Semiconductors. 1998. V. 32. No. 3. P. 302.
  9. Крючков С.В., Федоров Э.Г. // ФТП. 2002. Т. 36. № 3. C. 326
  10. Kryuchkov S.V., Fedorov E.G. // Semiconductors. 2002. V. 36. No. 3. P. 307.
  11. Завьялов Д.В., Крючков С.В. // ФТП. 2001. Т. 35. № 5. C. 575
  12. Zav’yalov D.V., Kryuchkov S.V. // Semiconductors. 2001. V. 35. No. 5. P. 554.
  13. Черняев А.П., Черняева С.А. // Комп. иссл. и моделир. 2021. Т. 13. № 5. С. 885.
  14. Макаров В.А., Петникова В.М. // Квантовая электроника. 2018. Т. 48. № 11. С. 1023.
  15. Dzedolik V., Leksin A.Yu. // J. Optics. 2020. V. 22. No. 7. Art. No. 075001.
  16. Ebadi G., Krishnan E.V., Biswas A. // Pramana – J. Phys. 2012. V. 79. P. 185.
  17. Глазов С.Ю., Крючков С.В. // ФТП. 2000. Т. 34. № 7. С. 835
  18. Glazov S.Yu., Kryuchkov S.V. // Semiconductors. 2000. V. 34. No. 7. P. 807.
  19. Глазов С.Ю., Громышов И.С., Мещерякова Н.Е. // Изв. РАН. Сер. физ. 2014. Т. 78. № 12. С. 1521
  20. Glazov S.Y., Gromyshov I.S., Mescheryakova N.E. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2014. V. 78. No. 12. P. 1239.
  21. Глазов С.Ю., Крючков С.В. // ФТП. 2001. Т. 35. № 4. С. 456
  22. Glazov S.Yu., Kryuchkov S.V. // Semiconductors. 2001. V. 35. No. 4. P. 444.
  23. Глазов С.Ю., Кубракова Е.С. // Изв. РАН. Сер. физ. 2009. Т. 73. № 12. С. 1713
  24. Glazov S.Y., Kubrakova E.S. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2009. V. 73. No. 12. P. 1605.
  25. Крючков С.В., Шаповалов А.И. // ФТТ. 1997. Т. 39. № 8. С. 1470
  26. Kryuchkov S.V., Shapovalov A.I. // Phys. Solid State. 1997. V. 39. No. 8. P. 1305.
  27. Глазов С.Ю., Ковалев А.А., Мещерякова Н.Е. // Изв. РАН. Сер. физ. 2012. Т. 76. № 12. С. 1479
  28. Glazov S.Yu., Kovalev A.A., Mescheryakova N.E. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2012. V. 76. No. 12. P. 1323.
  29. Ратников П.В., Силин А.П. // Письма в ЖЭТФ. 2015. Т. 102. № 11. С. 823
  30. Ratnikov P.V., Silin A.P. // JETP Lett. 2015. V. 102. No. 11. P. 713.
  31. Глазов С.Ю., Ковалев А.А., Мещерякова Н.Е. // ФТП. 2015. Т. 49. № 4. С. 515
  32. Glazov S.Yu., Kovalev A.A., Meshcheryakova N.E. // Semiconductors. 2015. V. 49. No. 4. P. 504.
  33. Глазов С.Ю., Ковалев А.А. // Изв. РАН. Сер.физ. 2018. Т. 82. № 1. С. 105
  34. Glazov S.Yu., Kovalev A.A. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2018. V. 82. No. 1. P. 94.
  35. Глазов С.Ю., Ковалев А.А., Крючков С.В. // Изв. РАН. Сер. физ. 2020. Т. 84. № 2. С. 254
  36. Glazov S.Y., Kovalev A.A., Kryuchkov S.V. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2020. V. 84. No. 2. P. 199.

补充文件

附件文件
动作
1. JATS XML
下载

版权所有 © Russian Academy of Sciences, 2025