Study of the sensitivity of moisture-sensitive structures with UV reduction on the basis of ZnO produced by the sol-gel method

D. S. Permyakov; Пермяков Д. С.; M. A. Belykh; Белых М. А.; A. V. Strogonov; Строгонов А. В.

doi:10.31857/S0367676523702368

Исследование чувствительности влагочувствительных структур с УФ восстановлением на основе ZnO, изготовленных золь-гель методом

Авторы: Пермяков Д.С.¹, Белых М.А.¹, Строгонов А.В.¹
Учреждения:
1. Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “Воронежский государственный технический университет”
Выпуск: Том 87, № 9 (2023)
Страницы: 1343-1347
Раздел: Статьи
URL: https://vietnamjournal.ru/0367-6765/article/view/654620
DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676523702368
EDN: https://elibrary.ru/JIIMCH
ID: 654620

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Разработана структура на основе тонкопленочного нанокристаллического ZnO, полученного золь-гель методом, на гибкой подложке из каптона. Установлено, что ее электрическое сопротивление существенно возрастает под действием содержащейся в воздухе влаги, а при облучении ультрафиолетовым излучением сопротивление структуры уменьшается почти на два порядка. После прекращения экспонирования наблюдается долговременный процесс восстановления электропроводности, описываемый дробно-экспоненциальной функцией Кольрауша.

Список литературы

Гаськов А.М., Румянцева М.Н. // Неорг. матер. 2000. Т. 36. № 3. С. 369; Gas’kov A.M., Rumyantseva M.N. // Inorg. Mater. 2000. V. 36. No. 3. P. 293.
Christopher B. // Sci. Reports. 2017. V. 7. No. 6053. P. 1.
Singh H., Kumar A., Bansod B.S. et al. // RSC Advances. 2018. V. 8. P. 3839.
Droepenu E.K., Wee B.S., Chin S.F. et al // Biointerface Res. Appl. Chem. 2022. V. 12. No. 3. P. 4261.
Tsoutsouva M., Panagopoulos C.N., Papadimitriou D. // Mater. Sci. Engin. B. 2011. V. 176. No. 6. P. 480.
Pranav D., Kartik P., Kamlesh C. // Proc. Technol. 2016. V. 23. P. 328.
Skowronski L., Ciesielski A., Olszewska A. // Materials (Basel). 2020. V. 13. No. 16. P. 3510.
Sonima M., Mini V., Arun A. // Nano Express. 2020. V. 1. No. 3. P. 1.
Zoltan K., Csanad M., Tamas G. // Catalysis Today. 2022. V. 397. P. 16.
Poornajar M., Marashi P., Fatmehsari D.H. // Ceram. Int. 2016. V. 42. No. 1. P. 173.
Heitmann U., Westraadt J., O’Connell J. et al. // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2022. V. 14. No. 36. P. 41 149.
Aljameel A.I., Ali M.K.M. // J. Non-Oxide Glass. 2021. V. 13. No. 2. P. 21.
Kidalov V., Dyadenchuk A., Bacherikov Y. et al // Turk. J. Phys. 2020. V. 44. No. 1. P. 55.
Wisz G., Virt I., Sagan P. et al // Nanoscale Res. Lett. 2017. V. 12. No. 253. P. 1.
Белых М.А. // Межвуз. сб. науч. тр. “Твердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника”. Воронеж: Изд-во ВГТУ, 2020. С. 37.
Пермяков Д.С., Белых М.А., Строгонов А.В. // Межвуз. сб. науч. тр. “Микроэлектроника и наноэлектроника: актуальные проблемы”. Воронеж: Изд-во ВГТУ, 2021. С. 4.
Jian Lin // Nature Commun. 2014. V. 5. No. 5714. P. 2.
Коренблит И.Я., Шендер Е.Ф. // УФН. 1989. Т. 157. № 2. С. 267; Korenblit I.Ya., Shender E.F. // Sov. Phys. Usp. 1989. V. 32. No. 2. P. 139.
Hochli U.T., Knorr K., Loidl A. // Adv. Phys. 1990. V. 39. P. 405.