Отправить статью по E-mail 
Поверхностно-излучающие квантово-каскадные лазеры с дифракционной решеткой второго порядка и увеличенной величиной коэффициента связи
- Авторы: Бабичев А.В.1, Пихтин Н.А.2, Новиков И.И.1, Карачинский Л.Я.1, Евтихиев В.П.1,2, Лютецкий А.В.2, Слипченко С.О.2, Митрофанов М.И.2,3, Вознюк Г.В.1,2, Паневин В.Ю.4, Петрук А.Д.4, Харин Н.Ю.4, Гладышев А.Г.1, Колодезный Е.С.1, Егоров А.Ю.5
-
Учреждения:
- Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Национальный исследовательский университет ИТМО”
- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук”
- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук”
- Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого”
- Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки “Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук”
- Выпуск: Том 87, № 6 (2023)
- Страницы: 855-860
- Раздел: Статьи
- URL: https://vietnamjournal.ru/0367-6765/article/view/654385
- DOI: https://doi.org/10.31857/S036767652370148X
- EDN: https://elibrary.ru/VMALWG
- ID: 654385
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Аннотация
Представлены результаты исследования характеристик поверхностно-излучающих квантово-каскадных лазеров с кольцевым резонатором с дифракционной решеткой второго порядка. Подбор режимов травления методом прямой ионной литографии позволил увеличить коэффициент связи до 12 см–1. Продемонстрирована лазерная генерация вблизи 7.6 мкм с малой величиной пороговой плотности тока (порядка 0.3 кА/см2).
Об авторах
А. В. Бабичев
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования“Национальный исследовательский университет ИТМО”
Автор, ответственный за переписку.
Email: a.babichev@itmo.ru
Россия, Санкт-Петербург
Н. А. Пихтин
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки“Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук”
Email: a.babichev@itmo.ru
Россия, Санкт-Петербург
И. И. Новиков
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования“Национальный исследовательский университет ИТМО”
Email: a.babichev@itmo.ru
Россия, Санкт-Петербург
Л. Я. Карачинский
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования“Национальный исследовательский университет ИТМО”
Email: a.babichev@itmo.ru
Россия, Санкт-Петербург
В. П. Евтихиев
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования“Национальный исследовательский университет ИТМО”; Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
“Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук”
Email: a.babichev@itmo.ru
Россия, Санкт-Петербург; Россия, Санкт-Петербург
А. В. Лютецкий
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки“Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук”
Email: a.babichev@itmo.ru
Россия, Санкт-Петербург
С. О. Слипченко
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки“Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук”
Email: a.babichev@itmo.ru
Россия, Санкт-Петербург
М. И. Митрофанов
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки“Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук”; Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
“Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук”
Email: a.babichev@itmo.ru
Россия, Санкт-Петербург; Россия, Санкт-Петербург
Г. В. Вознюк
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования“Национальный исследовательский университет ИТМО”; Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
“Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук”
Email: a.babichev@itmo.ru
Россия, Санкт-Петербург; Россия, Санкт-Петербург
В. Ю. Паневин
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования“Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого”
Email: a.babichev@itmo.ru
Россия, Санкт-Петербург
А. Д. Петрук
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования“Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого”
Email: a.babichev@itmo.ru
Россия, Санкт-Петербург
Н. Ю. Харин
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования“Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого”
Email: a.babichev@itmo.ru
Россия, Санкт-Петербург
А. Г. Гладышев
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования“Национальный исследовательский университет ИТМО”
Email: a.babichev@itmo.ru
Россия, Санкт-Петербург
Е. С. Колодезный
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования“Национальный исследовательский университет ИТМО”
Email: a.babichev@itmo.ru
Россия, Санкт-Петербург
А. Ю. Егоров
Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки“Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук”
Email: a.babichev@itmo.ru
Россия, Санкт-Петербург
Список литературы
- Harrer A., Szedlak R., Schwarz B. et al. // Sci. Reports. 2016. V. 6. No. 1. Art. No. 21795.
- Szedlak R., Hayden J., Martín-Mateos P. et al. // Opt. Engin. 2018. V. 57. No. 1. Art. No. 011005.
- Tütüncü E., Kokoric V., Szedlak R. et al. // Analyst. 2016. V. 141. No. 22. P. 6202.
- Szedlak R., Harrer A., Holzbauer M. et al. // ACS Photonics. 2016. V. 3. No. 10. P. 1794.
- Hinkov B., Pilat F., Lux L. et al. // Nature Commun. 2022. V. 13. No. 1. Art. No. 4753.
- Wu D.H., Razeghi M. // APL Materials. 2017. V. 5. No. 3. Art. No. 035505.
- Mujagić E., Hoffmann L.K., Schartner S. et al. // Proc. SPIE. 2009. V. 7230. Art. No. 723015.
- Mujagić E., Hoffmann L.K., Schartner S. et al. // Proc. CLEO/QELS 2009 (Baltimore, 2009) Art. No. CThT4.
- Schwarze C., Szedlak R., Ahn S.I. et al. // Appl. Phys. Lett. 2013. V. 103. No. 8. Art. No. 081101.
- Szedlak R., Schwarzer C., Zederbauer T. et al. // Opt. Express. 2014. V. 22. No. 13. P. 15829.
- Szedlak R., Holzbauer M., MacFarland D. et al. // Sci. Reports. 2015. V. 5. Art. No. 16668.
- Piccardo M., Schwarz B., Kazakov D. et al. // Nature. 2020. V. 582. No. 7812. P. 360.
- Schwarzer C., Mujagić E., Yao Y. et al. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 97. No. 7. Art. No. 071103.
- Holzbauer M., Szedlak R., Detz H. et al. // Appl. Phys. Lett. 2017. V. 111. No. 17. Art. No. 171101.
- Knötig H., Hinkov B., Weih R. et al. // Appl. Phys. Lett. 2020. V. 116. No. 13. Art. No. 131101.
- Bai Y., Tsao S., Bandyopadhyay N. et al. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 99. No. 26. Art. No. 261104.
- Бабичев А.В., Гладышев А.Г., Дюделев В.В. и др. // Письма в ЖТФ. 2020. Т. 46. № 9. С. 35; Babichev A.V., Gladyshev A.G., Dudelev V.V. et al. // Tech. Phys. Lett. 2020. V. 46. No. 5. P. 442.
- Дюделев В.В., Михайлов Д.А., Бабичев А.В. и др. // Квант. электрон. 2020. Т. 50. № 11. С. 989; Dudelev V.V., Mikhailov D.A., Babichev A.V. et al. // Quant. Electron. 2020. V. 50. No. 11. P. 989.
- Lyakh A., Maulini R., Tsekoun A. et al. // Opt. Express. 2012. V. 20. No. 22. P. 24272.
- Бабичев А.В., Гладышев А.Г., Курочкин А.С. и др. // Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. № 8. С. 31; Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kurochkin A.S. et al. // Tech. Phys. Lett. 2019. V. 45. No. 4. P. 398.
- Brandstetter M., Genner A., Schwarzer C. et al. // Opt. Express. 2014. V. 22. No. 3. P. 2656.
- Mujagić E., Schwarzer C., Yao Y. et al. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 98. No. 14. Art. No. 141101.
- Бабичев А.В., Михайлов Д.А., Колодезный Е.С. и др. // ФТП. 2022. Т. 56. № 9. С. 908; Babichev A.V., Mikhailov D.A., Kolodeznyi E.S. et al. // Semiconductors. 2022. V. 56. No. 9. P. 689.
- Bai Y., Slivken S., Kuboya S. et al. // Nature Photonics. 2010. V. 4. No. 2. P. 99.
- Gmachl C., Tredicucci A., Capasso F. et al. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. No. 24. P. 3130.
- Бабичев А.В., Пашнев Д.А., Гладышев А.Г. и др. // Опт. и спектроск. 2020. Т. 128. № 8. С. 1165; Babichev A.V., Pashnev D.A., Gladyshev A.G. et al. // Opt. Spectrosс. 2020. V. 128. No. 8. P. 1187.
- Faist J., Gmachl C., Striccoli M. et al. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69. No. 17. P. 2456.
- Бабичев А.В., Колодезный Е.С., Гладышев А.Г. и др. // Письма в ЖТФ. 2022. Т. 48. № 5. С. 7; Babichev A.V., Kolodeznyi E.S., Gladyshev A.G. et al. // Tech. Phys. Lett. 2022. V. 48. No. 3. P. 6.
Дополнительные файлы
