On a shape of band-to-acceptor luminescence line in semiconductors

I. A. Kokurin; Кокурин И. А.; N. S. Averkiev; Аверкиев Н. С.

doi:10.31857/S0367676523701478

О форме линии люминесценции зона–акцептор в полупроводниках

Авторы: Кокурин И.А.¹^,2, Аверкиев Н.С.¹
Учреждения:
1. Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук”
2. Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “Национальный исследовательский Мордовский государственный университет имени Н.П. Огарёва”
Выпуск: Том 87, № 6 (2023)
Страницы: 849-854
Раздел: Статьи
URL: https://vietnamjournal.ru/0367-6765/article/view/654384
DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676523701478
EDN: https://elibrary.ru/VLVYLH
ID: 654384

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Предложено теоретическое объяснение формы длинноволнового края линии люминесценции, обусловленной рекомбинацией свободного электрона и дырки нейтрального акцептора. Во внимание принято образование комплексов, в которых одна дырка локализована полем двух притягивающих ионов (\(A_{2}^{ - }\) комплексы), и последующая рекомбинация дырок таких комплексов с электронами зоны проводимости. Кулоновское отталкивание в конечном состоянии после рекомбинации и разброс комплексов по величине межцентрового расстояния обеспечивают протяженный длинноволновый хвост линии люминесценции, сравнимый по величине с энергией ионизации одиночного акцептора.

Об авторах

И. А. Кокурин

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
“Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук”; Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования
“Национальный исследовательский Мордовский государственный университет имени Н.П. Огарёва”

Автор, ответственный за переписку.
Email: ivan.a.kokurin@gmail.com
Россия, Санкт-Петербург; Россия, Саранск

Н. С. Аверкиев

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
“Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук”

Email: ivan.a.kokurin@gmail.com
Россия, Санкт-Петербург

Список литературы

Williams E.W., Bebb H.B. // Semicond. Semimet. 1972. V. 8. P. 321.
Skromme B.J., Bose S.S., Stillman G.E. // J. Electron. Mater. 1986. V. 15. No. 6. P. 345.
Chen H.D., Feng M.S., Chen P.A. et al. // J. Appl. Phys. 1994. V. 75. No. 4. P. 2210.
Ben Saddik K., Brana A.F., Lopez N. et al. // J. Cryst. Growth. 2021. V. 571. Art. No. 126242.
Kundrotas J., Čerškus A., Valušis G. et al. // J. Appl. Phys. 2010. V. 107. No. 9. Art. No. 093109.
Petrov P.V., Kokurin I.A., Ivanov Yu.L. et al. // Phys. Rev. B. 2016. V. 94. No. 8. Art. No. 085308.
Ali H., Zhang Y., Tang J. et al. // Small. 2018. V. 14. No. 17. Art. No. 1704429.
Williams E.W., Bebb H.B. // J. Phys. Chem. Solids. 1969. V. 30. No. 5. P. 1289.
Eagles D.M. // J. Phys. Chem. Solids. 1960. V. 16. No. 1–2. P. 76.
Brasil M.J.S.P., Bernussi A.A., Motisuke P. // Solid State Commun. 1989. V. 71. No. 1. P. 13.
Kokurin I.A., Averkiev N.S. // Phys. Rev. B. 2023. V. 107. No. 12. Art. No. 125208.
Levine I.N. Quantum chemistry. New Jersey: Prentice Hall, 1991.
Atkins P.W., Friedman R.S. Molecular quantum mechanics. N.Y.: Oxford University Press, 2011.
Слэтер Дж. Электронная структура молекул. М.: Мир, 1965.
Kamiya T., Wagner E. // J. Appl. Phys. 1977. V. 48. No. 5. P. 1928.
Lipari N.O., Baldereschi A. // Phys. Rev. Lett. 1970. V. 25. No. 24. P. 1660.
Гельмонт Б.Л., Дьяконов М.И. // ФТП. 1971. Т. 5. № 11. С. 2191; Gel’mont B.L., D’yakonov M.I. // Sov. Phys. Semicond. 1972. V. 5. No. 11. P. 1905.
Кокурин И.А., Петров П.В., Аверкиев Н.С. // ФТП. 2013. Т. 47. № 9. С. 1244; Kokurin I.A., Petrov P.V., Averkiev N.S. // Semiconductors. 2013. V. 47. No. 9. P. 1232.