Размерный резонанс собственного стимулированного пикосекундного излучения при наведении им фотонного кристалла и осцилляций населенности электронов в гетероструктуре AlxGa1–xAs–GaAs–AlxGa1–xAs
- Авторы: Агеева Н.Н.1, Броневой И.Л.1, Кривоносов А.Н.1
 - 
							Учреждения: 
							
- Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
 
 - Выпуск: Том 69, № 2 (2024)
 - Страницы: 187-198
 - Раздел: ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ
 - URL: https://vietnamjournal.ru/0033-8494/article/view/650714
 - DOI: https://doi.org/10.31857/S0033849424020106
 - EDN: https://elibrary.ru/KMGYNI
 - ID: 650714
 
Цитировать
Полный текст
Аннотация
Мощная пикосекундная оптическая накачка слоя GaAs гетероструктуры вызывает генерацию в нем стимулированного пикосекундного излучения. Благодаря своей высокой интенсивности излучение наводит брэгговскую решетку населенности электронов в активной области слоя, делая последнюю активным фотонным кристаллом. В поле излучения инверсная населенность электронов осциллирует со временем, что должно приводить к пространственно-временной модуляции излучения и этой населенности. Обнаружено, что, если расстояние Y между торцом гетероструктуры и центром активной среды и геометрические параметры указанной модуляции и движения излучения в фотонном кристалле удовлетворяют определенным условиям, то происходит размерный резонанс – возникает локально максимум модуляции зависимости энергии излучения, выходящего из торца, от Y и от энергии накачки.
Полный текст
Об авторах
Н. Н. Агеева
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
														Email: bil@cplire.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							Москва						
И. Л. Броневой
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
							Автор, ответственный за переписку.
							Email: bil@cplire.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							Москва						
А. Н. Кривоносов
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
														Email: bil@cplire.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							Москва						
Список литературы
- Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н. и др.// ФТП. 2005. Т. 39. № 6. С. 681.
 - Агеева Н.Н., Броневой И.Л, Кривоносов А.Н. // ЖЭТФ. 2022. Т. 162. № 6. С. 1018.
 - Шадрина Г.В., Булгаков Е.Н. // ЖЭТФ. 2022. Т. 162. Вып. 5. С. 646.
 - Peschel T., Peschel U., Lederer F. // Phys. Rev. A. 1994. V.50. P. 5153.
 - Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н. // РЭ. 2023. Т. 68. № 3. С. 211.
 - Васильев П.П. // Квант. электроника. 1994. Т. 21. № 6. С. 585.
 - Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Забегаев Д.Н., Кривоносов А.Н. // ФТП. 2020. Т. 54. № 10. С. 1018.
 
Дополнительные файлы
				
			
						
						
						
					
						
									












