Квантовый размерный эффект при нормальном падении пучка электронов средней энергии на растущую гетероэпитаксиальную пленку
- Авторы: Шкорняков С.М.1
 - 
							Учреждения: 
							
- Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники, НИЦ “Курчатовский институт”
 
 - Выпуск: Том 70, № 1 (2025)
 - Страницы: 97-103
 - Раздел: ПОВЕРХНОСТЬ, ТОНКИЕ ПЛЕНКИ
 - URL: https://vietnamjournal.ru/0023-4761/article/view/686184
 - DOI: https://doi.org/10.31857/S0023476125010139
 - EDN: https://elibrary.ru/ISKWYT
 - ID: 686184
 
Цитировать
Полный текст
Аннотация
Проведен расчет коэффициента отражения электронов средней энергии (~10 кэВ) при их нормальном падении на тонкую растущую монокристаллическую пленку. Показано, что при этом имеет место квантовый размерный эффект, который проявляется в гармонических осцилляциях интенсивности отраженного пучка. Амплитуда и период колебаний зависят от толщины растущей пленки и энергии падающих электронов. Приведена графическая иллюстрация полученных результатов.
Полный текст
Об авторах
С. М. Шкорняков
Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники, НИЦ “Курчатовский институт”
							Автор, ответственный за переписку.
							Email: shkornyakov@mail.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							Москва						
Список литературы
- Harris J.J., Joyce B.A., Dobson P.J. // Surf. Sci. 1981. V. 103. P. L90.
 - Dobson P.J., Norton N.G., Neave J.H., Joyce B.A. // Vacuum. 1983. № 10–12. P. 593.
 - Neave J.H., Dobson P.J., Joyce B.A., Zhang J. // Appl. Phys. Lett. 1985. V. 47 (2). P. 100.
 - Joyce B.A., Dobson P.J., Neave J.H. et al. // Surf. Sci. 1986. V. 168. P. 423.
 - Dobson P.J., Joyce B.A., Neave J.H., Zhang J. // J. Cryst. Growth. 1987. V. 81. P. 1.
 - Aarts J., Gerits W.M., Larsen P.K. // Appl. Phys. Lett. 1986. V. 48. № 14. P. 981.
 - Sakamoto T., Kawamura T., Nago S. et al. // J. Cryst. Growth. 1987. V. 81. № 1/4. P. 59.
 - Peng L.-M., Whelan M.J. // Surf. Sci. Lett. 1990. V. 238. P. L446.
 - Шкорняков С.М. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2019. № 2. С. 74. https://doi.org/10.1134/S0207352819020124
 - Кульбачинский В.А. Физика наносистем. М.: Физматлит, 2023. 768 с.
 - Шкорняков С.М., Сальников М.Л., Семилетов С.А. // ФТТ. 1977. Т. 19. Вып. 3. С. 687.
 - Пшеничнов Е.А. // ФТТ. 1962. Т. 4. Вып. 5. С. 1113.
 - Schnupp P. // Phys. Status Solidi. 1967. V. 21. P. 567.
 - Schnupp P. // Solid-State Electron. 1967. V. 10. P. 785.
 - Lopez C.E., Helman J.S. // Phys. Rev. B. 1974. V. 6. № 4. P. 1751.
 - Fumio S. // Technical Report of ISSP. Ser. A. 1973. № 616. P. 1.
 - Игнатович В.К. Рассеяние волн и частиц на одномерных периодических потенциалах. Препринт Р4-10778. Дубна: ОИЯИ, 1977. 17 с.
 - Игнатович В.К. Рассеяние нейтронов на несимметричном одномерном периодическом потенциале. Препринт Р4-11135. Дубна: ОИЯИ, 1978. 23 с.
 - Шкорняков С.М. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2017. № 6. С. 83. https://doi.org/10.7868/S020735281706018X
 - Шкорняков С.М. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2020. № 5. С. 82. https://doi.org/10.31857/S1028096020050167
 - Шкорняков С.М. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2022. № 2. С. 104. https://doi.org/10.31857/S1028096022020121
 - Шкорняков С.М. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2022. № 8. С. 102. https://doi.org/10.31857/S1028096022080143
 - Peng L.-M., Dudarev S.L., Whelan M.J. High-Energy Electron Diffraction and Microscopy. Oxford Science Publications, 2004. 535 p.
 - Lilienkamp G., Koziol C., Bauer E. // RHEED and Reflection Electron Imaging of Surfaces / Eds. Larsen P.K., Dobson P.J. New York: Plenum, 1988. P. 489.
 - Жукова Л.А., Гуревич М.А. Электронография поверхностных слоев и пленок полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1971. 176 с.
 - Метод дифракции отраженных электронов в материаловедении. Сборник статей / Под ред. Шварца А. и др. Перевод с англ. М.: Техносфера, 2014. 560 с.
 - Шкорняков С.М. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2024. № 2. C. 108. https://doi.org/10.31857/S1028096024020166
 
Дополнительные файлы
Доп. файлы
Действие
	1.
	JATS XML
			2.
			Рис. 1. Схема потенциальной энергии электрона в пленке: V0 – величина средней внутренней энергии, N – число параллельных поверхности монослоев в пленке, c – период одномерной решетки, t – амплитуда прошедшей волны, r – амплитуда отраженной волны.
							
					
				
								
		
			Скачать (99KB)
		
		
				
		
			Скачать (183KB)
		
		
				
			4.
			Рис. 3. График зависимости R(N) при трех значениях энергии пучка: а – значение энергии лежит в запрещенной зоне, б, в – в разрешенной зоне.
							
					
				
								
		
			Скачать (141KB)
		
		
				
			5.
			Рис. 4. Зависимость интенсивности отраженного пучка от толщины нарастающей пленки с учетом ослабления, вызванного поглощением и рассеянием электронов, для двух значений энергии.
							
					
				
								
		
			Скачать (102KB)
		
		
				
			6.
			Рис. 5. Коротковолновые осцилляции, модулированные длинноволновыми колебаниями, с учетом ослабления интенсивности пучка.
							
					
				
								
		
			Скачать (106KB)
		
		
	
				
			
						
						
						
					
						
									








