English
Kazakh
Português (Brasil)
Русский
简体中文
Mikroèlektronika
ISSN 0544-1269 (Print)
Мәзір     Мұрағат
  • Бастапқы
  • Журнал туралы
    • Редакция тобы
    • Редакция саясаты
    • Авторларға арналған ережелер
    • Журнал туралы
  • Шығарылымдар
    • Іздеу
    • Ағымдағы шығарылым
    • Ретракцияланған мақалалар
    • Мұрағат
  • Байланыс
  • Жазылу
  • Барлық журналдар
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • Автор бойынша
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
  • Категориялар
Ақпарат
  • Оқырмандар үшін
  • Авторларға
  • Кітапханалар үшін
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер Förster effect bipolar transistor diagnostics etching gas temperature ionization kinetics magnetron sputtering mechanism memristor modeling molecular beam epitaxy plasma polymerization powerful LDMOS quantum dot reduced electric field strength resistive switching silicon silicon-on-insulator technology specific power
Ағымдағы шығарылым

Том 54, № 4 (2025)

×
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • Автор бойынша
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
  • Категориялар
Ақпарат
  • Оқырмандар үшін
  • Авторларға
  • Кітапханалар үшін
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер Förster effect bipolar transistor diagnostics etching gas temperature ionization kinetics magnetron sputtering mechanism memristor modeling molecular beam epitaxy plasma polymerization powerful LDMOS quantum dot reduced electric field strength resistive switching silicon silicon-on-insulator technology specific power
Ағымдағы шығарылым

Том 54, № 4 (2025)

Бастапқы > Іздеу > Автор туралы ақпарат

Автор туралы ақпарат

Рогожин, А. Е.

Шығарылым Бөлім Атауы Файл
Том 53, № 1 (2024) TECHNOLOGIES Interconnects Materials for Integrated Circuit Technology Below 5 Nm Node
Том 52, № 5 (2023) INSTRUMENTATION Neuromorphic Systems: Devices, Architecture, and Algorithms
Том 52, № 2 (2023) ЛИТОГРАФИЯ Cross Sections of Scattering Processes in Electron-Beam Lithography
Том 52, № 2 (2023) INSTRUMENTATION Oxide Memristors for ReRAM: Approaches, Characteristics, and Structures
Том 54, № 1 (2025) MODELING Calculation of distributions of electron beam energy absorbed in PMMA and Si using various scattering models
Том 54, № 2 (2025) NANOSTRUCTURES Electrical characteristics of ruthenium lines with a cross-sectional area less than 1000 nm2
Том 54, № 2 (2025) INSTRUMENTATION Ferroelectric transistors: operating principles, materials, applications
Том 54, № 3 (2025) DIAGNOSTICS Structure of thin titanium nitride films deposited by magnetron sputtering
 

 

Developed by ECO-VECTOR

 

Powered by EVESYST

TOP