ВЛИЯНИЕ ТОКОВ УТЕЧКИ НА РЕЗИСТИВНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ И ПРОЦЕДУРУ ФОРМОВКИ МЕМРИСТИВНЫХ ОКРАМ-УСТРОЙСТВ

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Исследовано влияние физических процессов, связанных с поверхностными токами утечки, на электрофизические свойства и процедуру формовки устройств на базе многоуровневых мемристивных композиций Al2O3/TiOx в конденсаторной структуре, колланарной линии и BEOL-интегрированных. Показано, что токи поверхностной утечки в мемристивных устройствах во многом определяются способом их интеграции и могут изменять вид вольт-амперных характеристик для высокоомных резистивных состояний. Более того, наличие токов утечки существенно увеличивает напряжение формовки мемристивных устройств.

Об авторах

Н. В Андреева

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Email: nvandr@gmail.com
Санкт-Петербург, Россия

Е. А Рындин

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Санкт-Петербург, Россия

Д. С Мазинг

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Санкт-Петербург, Россия

А. А Усикова

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук

Санкт-Петербург, Россия

А. А Романов

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Санкт-Петербург, Россия

В. М Айвазян

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Санкт-Петербург, Россия

М. О Петров

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Санкт-Петербург, Россия

Список литературы

  1. L. Ye, Z. Gao, J. Fu et al., Front. Phys. 10, 839243 (2022).
  2. P. Yao, H. Wu, B. Gao et al., Nature 577, 641 (2020).
  3. F. Kiani, J. Yin, Z. Wang et al., Sci. Adv. 7, eabj4801 (2021).
  4. Y. Zhong, J. Tang, X. Li et al., Nat. Electron. 5, 672 (2022).
  5. C. Li, M. Hu, Y. Li et al., Nat. Electron. 1, 52 (2018).
  6. R. Wang, T. Shi, X. Zhang et al., Nat. Commun. 13, 2289 (2022).
  7. C. Li, D. Belkin, Y. Li et al., Nat. Commun. 9, 2385 (2018).
  8. J. Rupp, D. Ielmini, and I. Valov, Resistive Switching: Oxide Materials, Mechanisms, Devices and Operations, Springer, Cham (2022), p. 383.
  9. W. Haensch, A. Raghunathan, K. Roy et al., Adv. Mater. 35, 2204944 (2023).
  10. M. Onen, T. Gokmen, T. K. Todorov et al., Front. Artif. Intell. 5, 891624 (2022).
  11. U. B¨ottger, M. von Witzleben, V. Havel et al., Sci. Rep. 10, 16391 (2020).
  12. M.L¨ubben, S.Wiefels, R.Waser et al., Adv. Electron. Mater. 4, 1700458 (2018).

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2025