Влияние дополнительного диэлектрического слоя и заземленного экрана на высокочастотные характеристики элементов GаAs микросхем в 3D-интегрированных модулях
- Авторы: Шеерман Ф.И.1, Голенева Н.В.1, Коколов А.А.1, Бабак Л.И.1, Черкашин М.В.1, Панасенко П.В.2, Волосов А.В.2
 - 
							Учреждения: 
							
- Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
 - АО НИИМЭ
 
 - Выпуск: Том 70, № 1 (2025)
 - Страницы: 27-36
 - Раздел: ЭЛЕКТРОНИКА СВЧ
 - URL: https://vietnamjournal.ru/0033-8494/article/view/684119
 - DOI: https://doi.org/10.31857/S0033849425010043
 - EDN: https://elibrary.ru/HJLCEQ
 - ID: 684119
 
Цитировать
Полный текст
Аннотация
С использованием электромагнитного моделирования в диапазоне частот до 40 ГГц исследовано влияние покрытия GaAs монолитных интегральных схем (МИС) диэлектрическим слоем бензоциклобутена и металлизированным слоем из меди на СВЧ-характеристики микрополосковой (МПЛ) и копланарной (КПЛ) линий передачи, а также симметрирующего трансформатора и полосового фильтра на базе МПЛ. Показано, что в GaAs МИС с указанным покрытием, используемых в 3D-интегрированных модулях, с точки зрения вариации характеристик предпочтительнее применять КПЛ.
Полный текст
Об авторах
Ф. И. Шеерман
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
							Автор, ответственный за переписку.
							Email: fish@tusur.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							634050, Томск, просп. Ленина, 40						
Н. В. Голенева
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
														Email: fish@tusur.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							634050, Томск, просп. Ленина, 40						
А. А. Коколов
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
														Email: fish@tusur.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							634050, Томск, просп. Ленина, 40						
Л. И. Бабак
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
														Email: fish@tusur.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							634050, Томск, просп. Ленина, 40						
М. В. Черкашин
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
														Email: fish@tusur.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							634050, Томск, просп. Ленина, 40						
П. В. Панасенко
АО НИИМЭ
														Email: fish@tusur.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							124460, Зеленоград, ул. Академика Валиева, 6/1						
А. В. Волосов
АО НИИМЭ
														Email: fish@tusur.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							124460, Зеленоград, ул. Академика Валиева, 6/1						
Список литературы
- Воробьев С. // Электроника НТБ. 2018. № 7. С. 142.
 - Nguen C. Radio-frequency Integrated-circuit Engineering. New Jersey: John Wiley&Sons Inc., 2015.
 - Банков С.Е., Курушин А.А. Электродинамика для пользователей САПР СВЧ. М.: Солон-Экспресс, 2017.
 - Svensson С., Dermer G.E. // IEEE Trans. 2001. V. AP-24. № 2. P. 191.
 - Djordjevic A.R., Biljic R.M., Likar-Smiljanic V.D., Sarkar T.K. // IEEE Trans. 2001. V. EC-43. № 4. P. 662.
 - Huang С.H., Chen C.H., Horng T.S. // Proc. 2009 Asia Pacific Microwave Conf. Singapore. 7–10 Dec. N.Y.: IEEE, 2009. P. 1004.
 - Маттей Д.Л., Янг Л., Джонс Е.М.Т. Фильтры СВЧ, согласующие цепи и цепи связи. М.: Связь, 1972.
 
Дополнительные файлы
				
			
						
						
						
					
						
									










